半導體造句
“半導體”的解釋
51、 這是一個信息時代，是半導體物理，固體物理所支撐起來的，而它們是量子力學所決定的。
52、 前言：目的：評價半導體激光漂白四環素牙的臨床效果和安全性。
53、 一種高輸入阻抗、低開關速度及低功耗的半導體器件.
54、 "減產效應將在下半年完全浮現,屆時供需將趨于平衡."海力士半導體000660負責投資人關系的副總JamesKim本周稍早在首爾向路透全球科技峰會表示.海力士為全球第二大記憶體晶片制造商.
55、 簡要闡述了半導體器件模擬軟件在新器件開發中的應用，對性能模擬擴展與工藝模擬集成的優勢作了簡述。
56、 通過在某半導體晶圓廠的實際應用，該產能規劃模型有效地解決了投料不均，設備負荷率波動過大等問題。
57、 圖爾表示，晶體管必須是純粹的半導體才能傳載信息。
58、 適用范圍：半導體硅片，光學玻璃，鐘表件，眼鏡，珠寶首飾，滌綸過濾芯等。
59、 硫系非晶態半導體材料在近遠紅外域有很好的透光性，具有較低的本征損耗，以及有制備光波導的優點等。
60、 主要應用于接插件,印制線路板及半導體領域.
61、 這種硅碳棒由一種新型的碳化硅制成,被歸類為超級半導體.
62、 本文介紹一自動計數和數據處理的微型計算機裝置，它是由半導體探測器、電荷靈敏放大器、成形電路和一微型計算機組成。
63、 在半導體收音機中晶體管代替了真空管.
64、 這種半導體管是由稱為非晶體硅的材料制成。
65、 標準普爾500指數和半導體指數的20日關聯系數高達0.92,該讀數為1則表明兩者完全相關.
66、 近年來半導體技術的發展與計算機運算速度的增加同步增長.
67、 針對采用平面工藝的半導體器件的結構信息，通過單元排序和工藝流程生成兩個步驟，生成一個可以實現輸入目標要求的工藝流程。
68、 在Williams的開關中，上層電阻是由純半導體制造的，下層是由缺失氧原子的金屬制造的。
69、 電子陶瓷材料是材料科學當中的重要領域，在半導體材料、壓電材料、鐵電材料、介電材料及絕緣材料等方面都具有廣泛應用。
70、 氧化亞銅是一種所謂的半導體材料.
71、 本文分析了直接調制半導體激光的相干性，并予實驗證實。
72、 有機半導體激光器實現了從光泵浦到電泵浦。
73、 麥滿權，亞太區市場營銷副總裁，安森美半導體。
74、 他曾同威廉肖克利,誰是在飛兆半導體然后.
75、 四甲基氫氧化銨廣泛應用于半導體清洗，而其主要的電解原料四甲基氯化銨中的金屬離子含量直接影響產品純度。
76、 半導體LED從指示、顯示應用過渡到照明應用，產品的顯色性控制和評價是一個新的課題。
77、 利用ANSYS工具，可以分析半導體的非線性特性，其中包括封裝變形、焊接點蠕變以及過孔設計中的斷裂、疲勞和層間開裂。
78、 鮑哲南團隊發現的這種聚合物不需要被移除，最終的產品是一種半導體納米管和聚合物油墨，能夠用于制造可印刷電子產品。
79、 同半導體一樣,平板電視機也是供大于求,越來越商品化的市場.
80、 它也被當作半導體用在高壓電器中。
81、 用射線法導出了兩段式半導體激光器的端面輸出譜。
82、 本文利用擴展電阻技術對半導體硅、硅基材料進行測試分析，從而用以開發新材料和評估材料的質量。
83、 系統采用單模光纖的尾纖半導體激光器作光源的激光準直系統,并為測量提供穩定的基準線.
84、 激光劃片是半導體工業中一種有效的劃片方法.
85、 應用有限時間熱力學理論分析了半導體溫差發電器的工作性能。
86、 本文研究了半導體激光自混合干涉測振儀的調制與解調技術。
87、 邱慈云今年55歲，在半導體業界摸爬滾打了27年，是業內的學術權威之一。
88、 概述了有機半導體材料產生激光的特性，介紹了貝爾實驗室第一個有機固態電注入型激光器的工作原理。
89、 在我國電力系統中，同步發電機的勵磁系統主要有直流勵磁機勵磁系統和半導體勵磁系統兩種。
90、 據理解，目前曾經有俄羅斯、法國等經銷商開端與正明商榷海外銷售半導體激光打標機的協作。
91、 歐洲第二大的半導體制造商英飛凌在今天的發言中稱，這項以現金完成的交易預計將在2011年第一季度完成。
92、 例如英特爾一向就是半導體行業的龍頭股。
93、 飛兆半導體公司羅伯特?諾伊斯提出集成電路專利申請.
94、 介紹了一種以半導體激光器為光源，以新型CMOS面陣圖象轉換器件為傳感器的智能型覆銅板測厚系統。
95、 大功率半導體激光器可在大氣空間通信系統作發射光源。
96、 壓敏電阻器的電阻體材料是半導體,所以它是半導體電阻器的一個品種.
97、 1996年以來，科美儀器在半導體，平板顯示器，電子物質，生命科學和化學分析上，研發和提供了獨特的，先進的解決方案。
98、 另外一個RETE系統的優勢是，因為在太陽能聚光器中使用，實際設備需要的半導體材料非常小。
99、 與無機半導體場效應管相比,并苯場效應管有一特性,即雙極性.
100、 已成功地用于半導體的低溫陰極熒光與束感生電流的測量。
